美国国家标准技术研究院与马里兰大学及霍华德大学合作开发微小、高效、纳米线紫外LED。NIST指出UV-LED对数码存储器和生物传感器件非常重要。

　　目前为止的些纳米级LED的生产非常消耗时间，不适于实现商业化。NIST小组使用照相平版印刷术（使用光在某一材料上印出图像，与照相相似）、湿式蚀刻和金属沉积等批量制备技术，使用电场使纳米线排列起来，避免了分别放置每一条纳米线这一精细、耗时的工作。新纳米线LED的主要特色为由单晶GaN制成，每只LED由安置在P型GaN薄膜表面上的n型GaN纳米线组成。

　　研究小组生产并测试了40多只这样的LED，所有器件显示的发光性能都非常相似，并呈现出优异的热稳定性-室温下可耐750摄氏度的高温并工作稳定，连续在室温下工作两小时无衰退。这些性能表明新LED生产方法可获得稳定可靠的器件。研究者称该方法还可用于其他纳米线结构如大面积纳米级光源的制备。